NF C96-017-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
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时间:2024-05-14 06:05:17
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【英文标准名称】:Semiconductordevices-TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms.
【原文标准名称】:半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
【标准号】:NFC96-017-2008
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2008-01-01
【实施或试行日期】:2008-01-26
【发布单位】:法国标准化协会(AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:击穿;检验设备;元部件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命;测量技术;半导体器件;应力;测试;试验装置;与时间相关的;电压;电压应力
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:25P;A4
【正文语种】:其他
【原文标准名称】:半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
【标准号】:NFC96-017-2008
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2008-01-01
【实施或试行日期】:2008-01-26
【发布单位】:法国标准化协会(AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:击穿;检验设备;元部件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命;测量技术;半导体器件;应力;测试;试验装置;与时间相关的;电压;电压应力
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:25P;A4
【正文语种】:其他
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